2SB967 Datasheet

2SB967 PNP Transistor

Power Transistors 2SB967 Silicon PNP epitaxial planar type Unit: mm For low-frequency power amplification 7.3± 0.1 1.8± 0.1 6.5± 0.1 5.3± 0.1 4.35± 0.1 2.3± 0.1 0.5± 0.1 2.5± 0.1 0.8max q q q Possible to solder the radiation fin directly to printed cicuit board Low collector to emitter satur.

Features

Unit nA µA V V
  –18
  –7 90 625
  –1 120 85 VCE(sat) V MHz pF FE Rank classification P 90 to 135 Q 125 to 205 R 180 to 625 Rank hFE 1 Power Transistors PC — Ta 32
  –6 TC=Ta 28
  –5 IB=
  –40mA
  –35mA
  –30mA
  –25mA
  –4
  –20mA
  –15mA
  –10mA
  –2
  –5mA
  –1 4 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 0
  –2
  –4
  –6
  –8
  –10
  –12
  –1mA 0 0
  – 0.4
  – 0.8
  –10 TC=25˚C 2SB967 IC — VCE
  –12 VCE=
  –2V IC — VBE Collector power dissipation PC (W) Collector current IC (A) 24 20 16 12 8 Collector current IC (A)
  –8 25˚C TC=100˚C
  –25˚C
  –3
  –6
  –4
  –2
  –1.2
  –1.6
  –2.0 Ambient temperature Ta (˚C) Collector to emitter voltage VCE (V) .