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FT2000AA ... FT2000KG
FT2000AA ... FT2000KG
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten
Version 2013-05-07
1.2±0.2 4.5±0.2
2.67±0.2 0.42±0.1
13.9±0.3
14.9±0.7
10.1±0.3
Ø 3.8±0.2 4
Type Typ
13
1.3±0.1 0.8±0.2
5.08±0.1
8.7±0.3 3.9±0.3
2.8±0.3
4A
13
4K
13
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen
20 A 50...400 V TO-220AC
1.8 g
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Polarity / Polarität KA
(Standard) (Reverse)
Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng.
VRRM [V]
VRSM [V]
Forward voltage Durchlass-Spannung
VF [V] 1) IF = 5 A IF = 20 A
FT2000KA FT2000AA
50
50
< 0.84
< 0.96
FT2000KB FT2000AB
100
100
< 0.84
< 0.96
FT2000KC FT2000AC
150
150
< 0.84
< 0.96
FT2000KD FT2000AD
200
200
< 0.84
< 0.96
FT2000KG FT2000AG
400
400
< 0.84
< 0.96
Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C
IFAV 20 A IFRM 70 A 2) IFSM 350/385 A i2t 612 A2s Tj -50...+150°C Tj +200°C TS -50...+175°C
1 Tj = 25°C 2 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Characteristics Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
FT2000AA ... FT2000KG
Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 125°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A
IR trr RthC
Kennwerte < 5 µA
typ. 40µA < 200 ns
< 1.5 K/W
120 [%] 100
80
60
40
20 IFAV
0 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
103 [A] 102 Tj = 125°C
10 Tj = 25°C
1
IF
10-1
400a-(5a-0,8v)
0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
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© Diotec Semiconductor AG
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