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P1200B Dataheets PDF



Part Number P1200B
Manufacturers Diotec
Logo Diotec
Description Silicon Rectifier Diodes
Datasheet P1200B DatasheetP1200B Datasheet (PDF)

62.5 ±0.5 7,5 ±0.1 P1200A ... P1200G Version 2012-10-01 Ø 8 ±0.1 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] P1200A ... P1200G Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden Nominal Current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 12 A 50..

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62.5 ±0.5 7,5 ±0.1 P1200A ... P1200G Version 2012-10-01 Ø 8 ±0.1 Type Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] P1200A ... P1200G Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden Nominal Current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack 12 A 50...400 V Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style 1.3 g Maximum ratings Type Typ P1200A P1200B P1200D P1200G Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 50°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM Tj Tj TS 12 A 1) 80 A 1) 400/450 A 800 A2s -50...+150°C -50...+200°C -50...+175°C 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Characteristics Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 25°C Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht IF = 5 A IF = 12 A VR = VRRM VF VF IR RthA RthL P1200A ... P1200G Kennwerte < 0.84 V < 0.95 V < 10 µA < 10 K/W 1) < 2 K/W 120 [%] 100 80 Vr < 20% Vrrm 60 40 Vr < 80% Vrrm 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 103 [A] 102 Tj = 125°C 10 Tj = 25°C 1 IF 10-1 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG .


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