IS49NLS96400

IS49NLS96400,IS49NLS18320 576Mb (x9, x18) Separate I/O RLDRAM 2 Memory    FEATURES  ADVANCED INFORMATION JULY 2012  533MHz DDR operation (1.067 Gb/s/pin data  rate)   38.4 Gb/s peak bandwidth (x18 Separate I/O at  533 MHz clock frequency)   Reduced cycle time (15ns at 533MHz)   32ms refresh (16K refresh for each bank; 128K  refresh command must be issued in total each  32ms)   8 internal banks   Non‐multiplexed addresses (address  multiplexing option available)   SRAM‐type interface   Programmable READ latency (RL), row cycle  time, and burst sequence length   Balanced READ and WRITE latencies in order to  optimize data bus utilization     Data mask signals (DM) to mask signal of  WRITE data; DM is sampled on both edges of  DK.   Differential input clocks (CK, CK#)   Differential input data clocks (DKx, DKx#)   On‐die DLL generates CK edge‐aligned data and  output data clock signals   Data valid signal (QVLD)   HSTL I/O (1.5V or 1.8V nominal)   25‐60Ω matched impedance outputs   2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.5V or 1.8V VDDQ I/O   On‐die termination (ODT) RTT   IEEE 1149.1 compliant JTAG boundary scan   Operating temperature:  Commercial  (TC = 0° to +95°C; TA = 0°C to +70°C),  Industrial  (TC = ‐40°C to +95°C; TA = ‐40°C to +85°C) OPTIONS   Package:   144‐ball FBGA (leaded)   144‐ball FBGA (lead‐free)   Configuration:   64Mx9   32Mx18   Clock Cycle Timing:  Speed Grade  ‐18  ‐25E  ‐25  ‐33  Unit  tRC  15  15  20  20  ns  tCK  1.875  2.5  2.5  3....