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NPN Transistor. 3DD3320AN Datasheet

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NPN Transistor. 3DD3320AN Datasheet






3DD3320AN Transistor. Datasheet pdf. Equivalent






3DD3320AN Transistor. Datasheet pdf. Equivalent


3DD3320AN

Part

3DD3320AN

Description

Silicon NPN Transistor



Feature


3DD3320 AN NPN , , , 、 。 N PN 3DD3320 AN ○R ● ● ● ● ● ● VCEO IC Pt ot(TC=25℃) 400 15 120 V A W T O-3P(N) -10℃~40℃ 1 265 <85% C B ,Ta= 25℃ - - - (tp<5ms) (tp<5ms) Ta=25℃ Tc=25℃ RθJC Rθ JA E VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Pt ot Tj Tstg 700 400 9 15 30 7.5 15 3 120 150 -55~150 V V V A A A A W ℃ ℃ 2012 .
Manufacture

Huajing Microelectronics

Datasheet
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Huajing Microelectronics 3DD3320AN

3DD3320AN; 1.04 41.7 ℃/W ℃/W 1/4 3DD3320 AN ○R ,Ta= 25℃ - ICBO VCB=700V, IE=0 - ICEO VCE=400V, IB=0 - IEBO VEB=9V, IC=0 - VCBO IC=0. 1mA - VCEO IC=1mA - VEBO IE=0.1mA hFE* VCE=5V, IC=6A hFE1 hFE2 - h FE1/ hFE2 VCE * sat hFE1:VCE=5V, IC= 10mA hFE2:VCE=5V, IC=2A IC=6A, IB=1.2A - VBE * sat IC=6A, IB=1.2A ts tr UI9600,IC=0.5A tf .


Huajing Microelectronics 3DD3320AN

fT VCE=10V, IC=0.5 A f=1MHz ∗ , t p≤300μs, δ≤2% ◆ts 2~3~4~5μ s hFE 15~20~25~30 0.1 0.1 0.1 700 400 9 15 30 mA mA mA V V V 0.65 0.9 0.3 1 V 1 1.5 V 2 5 μs 0.6 μs 0.35 μs 4 MHz () Pb ≤0.1% ○ Hg Cd Cr(VI) ≤0.1% ≤0.01% ≤0.1% ○○○ PBB ≤0.1% ○ PBDE ≤0.1% ○ HBCDD ≤0.1% ○ DEHP DBP BBP ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ ≤0.1% ○ ○ ○ ○○ ○ ○ .

Part

3DD3320AN

Description

Silicon NPN Transistor



Feature


3DD3320 AN NPN , , , 、 。 N PN 3DD3320 AN ○R ● ● ● ● ● ● VCEO IC Pt ot(TC=25℃) 400 15 120 V A W T O-3P(N) -10℃~40℃ 1 265 <85% C B ,Ta= 25℃ - - - (tp<5ms) (tp<5ms) Ta=25℃ Tc=25℃ RθJC Rθ JA E VCBO VCEO VEBO IC ICM IB IBM Pt ot Tj Tstg 700 400 9 15 30 7.5 15 3 120 150 -55~150 V V V A A A A W ℃ ℃ 2012 .
Manufacture

Huajing Microelectronics

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 3DD3320AN
产品概述
3DD3320 AN NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3320 AN
R
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
计算机电源
大功率开关电路
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
15
120
V
A
W
封装 TO-3P(N)
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
400
9
15
30
7.5
15
3
120
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
1.04
41.7
单位
/W
/W
1/4




 3DD3320AN
3DD3320 AN
R
电参数
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=700V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极正向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=6A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=10mA
hFE2:VCE=5V, IC=2A
IC=6A, IB=1.2A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=6A, IB=1.2A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
特征频
fT
VCE=10V, IC=0.5 A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
ts 分档 2~3~4~5μs hFE 分档 15~20~25~30
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
700
400
9
15 30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.65 0.9
0.3 1 V
1 1.5 V
2 5 μs
0.6 μs
0.35 μs
4 MHz
有害物质说明
害物质或元素
件名称
含量要
Pb
0.1%
引线框
汞 镉 六价铬
Hg Cd Cr(VI)
0.1% 0.01% 0.1%
○○○
多溴
联苯
PBB
0.1%
多溴二
苯醚
PBDE
0.1%
六溴
十二烷
HBCDD
0.1%
邻苯二 邻苯二甲 邻苯二甲
甲酸酯 酸二丁酯 酸丁苄酯
DEHP DBP BBP
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○○○ ○ ○ ○ ○ ○○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要
目前产品的焊料中Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
无锡华润华晶微电子有限公司
2012
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