DatasheetsPDF.com

KT368VM Dataheets PDF



Part Number KT368VM
Manufacturers INTEGRAL
Logo INTEGRAL
Description NPN Transistor
Datasheet KT368VM DatasheetKT368VM Datasheet (PDF)

КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. Номер технических условий • аАО.365.025 ТУ / 02 Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (янва.

  KT368VM   KT368VM



Document
КТ368АМ, БМ, ВМ кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. Номер технических условий • аАО.365.025 ТУ / 02 Особенности • Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Эмиттер База Коллектор КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока КТ368АМ КТ368БМ КТ368ВМ Коэффициент шума для КТ368АМ Граничное напряжение Напряжение насыщения база - эмиттер Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Постоянная времени цепи обратной связи Обозначение Iкбо Iэбo h21Е Ед. изм. Режимы измеpения мкА Uкб=15B, Iэ=0 мкА Uэб=4B Uкб=1B, Iэ= 10мA Кш Uкэо гр Uбэ(нас) Cк Cэ τк дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА, f=6*107 Гц, Rг =75 Ом В Iэ=10мА, tи ≤ 500 мкс, Q ≥ 100 В Iк=20мА, Iб=2,0мA пФ Uкб= 5B, f=107 Гц пФ Uэб= 1B, f=107 Гц пс Uкб=5B, Iэ= 10мА, F=3*107 Гц Min Max 0,5 1,0 50 450 50 450 100 450 - 3,3 15 - 0,9 -1,35 - 1,7 -3 - 15 Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368АМ-ВМ Параметры Напряжение коллектор-база Импульсное напряжение коллектор-база Напpяжение коллектоp-эмиттеp Импульсное напpяжение коллектоp-эмиттеp Напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора (эмиттера) Постоянный импульсный ток коллектора (эмиттера) Рассеиваемая мощность коллектора при температуре окружающей среды: от - 60 до + 65 °С при температуре 100 °С Тепловое сопротивление транзистора переход-среда Температура перехода Обозначение Uкб max Uкб и max Uкэr max Uкэr и max Uэб max Iк (э) max Iк (э) max Pк max Rt п-ср Tп max Ед. измер. В В В В В мА мА мВт °С / Вт °С Значение 15 20 15 20 4 30 60 225 130 380 150 Примечание 1 1,2 1,4 1,2 1 1 1,2 3 - - Примечания к таблице 2: 1. Для всего диапазона рабочих температур 2. При длительности импульса не более 0,5 мс, скважности не менее 2. 3. В диапазоне температур от 65 до 100 °С мощность снижается по линейному закону. 4. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при токе эмиттера 10 мА. КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0) 2 КТ368А9,Б9 кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор Назначение Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ биполярный n-p-n транзистор. Предназначен для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты, а также другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Зарубежные прототипы • прототипы BF599, KSC2757 Особенности • рабочий температурный диапазон от - 60 до + 100 °С Обозначение технических условий • аАО.336.716 ТУ / 02 Корпусное исполнение • пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение Коллектор База Эм.


KT368BM KT368VM VSC7105


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)