DatasheetsPDF.com

A06N03N Dataheets PDF



Part Number A06N03N
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Datasheet A06N03N DatasheetA06N03N Datasheet (PDF)

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.)  6mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMA06N03AN LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω Rep.

  A06N03N   A06N03N


Document
  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.)  6mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMA06N03AN LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  80  50  170  53  140  40  69  27  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%            1.8  °C / W  75  2013/8/21  p.1    ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMA06N03AN LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = 250A  VDS = VGS, ID = 250A  VDS = 0V, VGS = ±20V  VDS = 20V, VGS = 0V  VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = 10V, VGS = 10V  VGS = 10V, ID = 30A  VGS = 5V, ID = 24A  VDS = 5V, ID = 24A  DYNAMIC  25      V  1  1.5 3      ±100 nA     1  A     25  80      A    5.3 6  mΩ   7.6 9.5    25   S  Input Capacitance  Output Capacitance  Ciss      Coss  VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz    Reverse Transfer Capacitance    Crss    Gate Resistance  Total Gate Charge1,2  Gate‐Source Charge1,2  Gate‐Drain Charge1,2  Turn‐On Delay Time1,2  Rise Time1,2  Turn‐Off Delay Time1,2  Fall Time1,2  Rg  Qg(VGS=10V) Qg(VGS=5V) Qgs  Qgd  td(on)  tr  td(off)  tf  VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz    VDS = 15V, VGS = 10V,  ID = 30A    VDS = 15V,    ID = 25A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω                      SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)  Continuous Current  Pulsed Current3  Forward Voltage1  IS      ISM      VSD  IF = IS, VGS = 0V    Reverse Recovery Time    trr     Peak Reverse Recovery Current  IRM(REC)  IF = IS, dlF/dt = 100A / S    Reverse Recovery Charge  Qrr  1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2%.      1800 480 220 1.2 34.5 22 4.8 12.5 20 15 50 20                           80    170   1.3  32   200   12   pF Ω  nC nS A  V  nS A  nC 2013/8/21  p.2  2Independent of operating temperature.  3Pulse width limited by maximum junction temperature.  Ordering & Marking Information:  Device Name: EMA06N03AN for DPAK (TO‐252)          A06 N03N A06N03N: Device Name    ABCDEFG ABCDEFG: Date Code                                                          2013/8/21  EMA06N03AN p.3    EMA06N03AN   TYPICAL CHARACTERISTICS      On‐Region Characteristic   100 10V 7V 5V 4.5V   80     60 I D ,Drain‐Source Current( A )   40   20   R D S ( O N ) ,Normalized Drain‐Source On‐Resistance On‐ Resistance Variation with Drain Current and Gate Voltage 3.0 2.5 2.0 VG  S = 4.5V 1.5 1.0 5V 5.5V 6V 7V 10V  0 0.5 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 0 20 40 60 80 100   VD  S ,Drain‐Source Voltage( V ) I D  ,Drain Current( A )    R       ,On‐Resistance(ohm) DS(ON) R       ,Normalized DS(ON) Drain‐Source On‐Resistance   1.8 On‐ Resistance Variation with Temperature    I D  = 30A VG  S = 10V 1.6     1.4   1.2   1.0 0.025 On‐Resistance Variation with Gate‐Source Voltage ID   = 15A 0.020 0.015 0.010 TA   = 125° C   0.8 0.005 TA   = 25° C     0.6 ‐50 ‐25 0 25 50 75 100 125 150 T j ,Junction Tem p erature(°C ) 0 2 468 VG S  ,Gate‐SourceVoltage( V ) 10   I S ,REVERSE DRAIN CURRENT( A )   TRANSFER CHARACTERISTICS BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITH SOURCE CURRENT AND TEMPERATURE   100 60 V D S = 10V T A  = ‐55 ° C VG S  = 0V   80 25 ° C 10 TA  = 125°C 125 ° C   1 I D ,DRAIN CURRENT( A )   60   40   25°C 0.1 ‐55°C 0.01   20 0.001   0 0.0001 012 3 45 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4   V G S ,GATE TO SOURCE VOLTAGE VS D  ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE( V )       2013/8/21  p.4        G A T E C H A R G E C H A R A C T E R IS T IC S 12 ID = 3 0 A   10   VGS ,GATE-SOURCE VOLTAGE ( V )  8   6   4   V DS =5V 15V 10V  2   0 0 15 30 45   Q g ,G A T E C H A R G E ( n C ) I D ,DRAIN CURRENT( A )   300 200    100 R d s ( o n ) Limit 50   20   10  5 MAXIMUM SAFE OPERATING AREA 10μ  s 100μ  s 1ms 10ms D1C00ms  2  1   0.5 0.5   VG  S = 10V RSIθ N J C G= L1E. 8P° UC/LWSE Tc = 25° C 1 10 VD S .


MS5607-02BA03 A06N03N EMA06N03AN


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)