EMF25P02VA

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐20V  D RDSON (MAX.)  25mΩ  ID  ‐7.8A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  Bottom View S DD SD GD D PIN 1 SYMBOL  EMF25P02VA LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  ±8  ‐7.8  ‐5.8  ‐31.2  2.08  1.33  ‐55 to 150  V  A  W  °C  MAXIMUM  UNIT  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  360°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.            12  °C / W  60  2013/11/13  p.1      ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted)  PARAMETER  SYMBOL TEST CONDITIONS  EMF25P02VA LIMITS  UNIT MIN  TYP MAX STATIC  Drain‐Source Breakdown Voltage  Gate Threshold Voltage  Gate‐Body Leakage  Zero Gate Voltage Drain Current  On‐State Drain Current1  Drain‐Source On‐State Resistance1  Forward Transconductance1  V(BR)DSS  VGS(th)  IGSS  IDSS  ID(ON)  RDS(ON)  gfs  VGS = 0V, ID = ‐250A  VDS = VGS, ID = ‐250A  VDS = 0V, VGS = ±8V  VDS = ‐16V, VGS = 0V  VDS = ‐16V, VGS = 0V, TJ = 125 °C  VDS = ‐5V...