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Mini TOPLED®
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
VPL06927
Besondere Merkmale
q Gehäusefarbe: weiß q als optischer Indikator einsetzbar q zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung q für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet q gegurtet (8-mm-Filmgurt) q Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q color of package: white q for use as optical indicator q for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses q suitable for all SMT assembly and soldering methods q available taped on reel (8 mm tape) q load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-11-12
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
Typ
Type
LS M670-HK LS M670-J LS M670-K LS M670-JM LO M670-HK LO M670-J LO M670-K LO M670-JM LY M670-HK LY M670-J LY M670-K LY M670-JM LG M670-HK LG M670-J LG M670-K LG M670-JM LP M670-FJ LP M670-G LP M670-H LP M670-GK
Emissionsfarbe Color of Emission
super-red
Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area
colorless clear
Lichtstärke
Luminous Intensity
IF = 10 mA IV (mcd)
2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0
orange
colorless clear
2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0
yellow
colorless clear
2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0
green
colorless clear
2.5 … 12.5 4.0 … 8.0 6.3 … 12.5 4.0 … 32.0
pure green colorless clear
1.0 … 8.0 1.6 … 3.2 2.5 … 5.0 1.6 … 12.5
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
18 (typ.) 30 (typ.) -
18 (typ.) 30 (typ.) -
18 (typ.) 30 (typ.) -
18 (typ.) 30 (typ.) -
8 (typ.) 12 (typ.) -
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q3380 Q62703-Q3381 Q62703-Q3382 Q62703-Q3383 Q62703-Q3384 Q62703-Q3385 Q62703-Q3386 Q62703-Q3387 Q62703-Q3388 Q62703-Q3389 Q62703-Q3390 Q62703-Q3391 Q62703-Q3392 Q62703-Q3393 Q62703-Q3394 Q62703-Q3395 Q62703-Q3396 Q62703-Q3397 Q62703-Q3398 Q62703-Q3399
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
Grenzwerte Maximum Ratings
Bezeichnung Parameter
Betriebstemperatur Operating temperature range
Lagertemperatur Storage temperature range
Sperrschichttemperatur Junction temperature
Durchlaßstrom Forward current
Stoßstrom Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspanung Reverse voltage
Verlustleistung Power dissipation
Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
Symbol Symbol
Top Tstg Tj IF IFM
VR Ptot Rth JA
*) PC-board: FR4 1) vorläufig/preliminary
Werte Values – 55 ... + 100 – 55 ... + 100 + 100 30 0.5
5 80 4801)
Einheit Unit ˚C ˚C ˚C mA A
V mW K/W
Semiconductor Group
3
1998-11-12
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.) (typ.)
Dominantwellenlänge Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) (typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA
(typ.) (typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) (max.)
Sperrstrom Reverse current
VR = 5 V
(typ.) (max.)
Kapazität Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
(typ.)
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) (typ.)
Symbol Symbol
Werte Values
Einheit Unit
LS LO LY LG LP
λpeak 635 610 586 565 557 nm
λdom 628 605 590 570 560 nm
∆λ 45 40 45 25 22 nm
2ϕ 120 120 120 120 120 Grad deg.
VF 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 V VF 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 V
IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA IR 10 10 10 10 10 µA
C0 12 8 10 15 15 pF
tr 300 300 300 450 450 ns tf 150 150 150 200 200 ns
Semiconductor Group
4
1998-11-12
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
% Ι rel
80
Vλ
60
OHL01698
blue pure-green green yellow
orange super-red
red hyper-red
40
20
0 400 450
500 550 600 650 nm 700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic 40˚ 30˚ 20˚
10˚ 0˚ ϕ 1.0
OHL01660
50˚ 0.8
60˚
70˚
80˚ 90˚
100˚ 1.0 0.8 0.6
0.4
Semiconductor Group
0.6 0.4 0.2 0
0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 5
80˚ 100˚ 120˚ 1998-11-12
LS M670, LO M670, LY M670 LG M670, LP M670
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
10 2
Ι F mA
OHL02145
10 1 5
pure-green 10 0
5
super-red orange/yellow green 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 V 3.4
VF
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
10 3
ΙF mA
D= t P
T
tP T
OHL01686
ΙF
D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1
10 2 0.2
5 0.5 DC
10 1 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 s 101 tp
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
10 1 OHL02.