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EMB17A03G Dataheets PDF



Part Number EMB17A03G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Datasheet EMB17A03G DatasheetEMB17A03G Datasheet (PDF)

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  30V  RDSON (MAX.)  17mΩ  ID  10A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB17A03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  10  7  40  Avalanche Current  IAS  12  Avalan.

  EMB17A03G   EMB17A03G


MTB17N03Q8 EMB17A03G MMBZ5221BW


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