European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information BSM 50 GD 170 DL
118.11 94.5
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European PowerSemiconductor and Electronics Company
Marketing Information BSM 50 GD 170 DL
118.11 94.5
119
121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 19.05 3.81
19 18 17 16
15
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
3.81 15.24
1.15x1.0
5 x 15.24 =76.2
110
connections to be made externally
21 13
1 2
3 4 20
59
6 10 19 17 15
7 11 8 12
14
01.07.1998
BSM 50 GD 170 DL
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom
Grenzlastintegral der Diode Isolations-Prüfspannung
repetitive peak collector current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current I2t - value, Diode insulation test voltage
TC = 80°C TC = 25°C tp = 1 ms, TC = 80°C TC = 25°C,
Transistor
tp = 1 ms VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values:
Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter Reststrom Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
Anstiegszeit (induktive Last)
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
Fallzeit (induktive Last)
Einschaltverlustenergie pro Puls Abschaltverlustenergie pro Puls Kurzschlußverhalten
Modulinduktivität
collector-emitter...