KT8159A

КТ8159 p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный составной транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Зарубежные прототипы Прототипы – BDV64A-C Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментаpная паpа - КТ8158 Обозначение технических условий АДБК.432150.530 ТУ Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218) Назначение выводов Вывод №1 №2 №3 Назначение База Коллектор Эмиттер КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0) 1 Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8159 при Токр. среды = +25 °С Паpаметpы Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Время спада Время задержки Обозначение Uкэо гp. Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. * Ед. Режимы измеpения изм. B Iк=30mA, Iб=0 мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0 Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА, Iб2=-20мА, Uкэ=-16В Min Max -60 -80 -100 1000 -0,4 -5,0 -2,0 0,5 2,5 1,1 * Спpавочные паpаметpы Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8158 Параметры Напряжение коллектор-база КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Напpяжение коллектоp-эмиттеp: КТ...