PNP Transistor
КТ8159
p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные бипо...
Description
КТ8159
p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный
составной транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона). Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Зарубежные прототипы Прототипы – BDV64A-C
Особенности Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C Комплиментаpная паpа - КТ8158
Обозначение технических условий АДБК.432150.530 ТУ
Корпусное исполнение пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод №1 №2 №3
Назначение
База Коллектор Эмиттер
КТ8159 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ8159 при Токр. среды = +25 °С
Паpаметpы
Граничное напряжение коллектор-эмиттер КТ8159А КТ8159Б КТ8159В Обратный ток коллектора Обратный ток эмиттера Статический коэффициент передачи тока Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Время включения Время спада Время задержки
Обозначение
Uкэо гp.
Iкбo Iэбо h21е Uкэ(нас) tвкл. * tсп. * tзд. *
Ед. Режимы измеpения изм.
B Iк=30mA, Iб=0
мА Uкб=Uкб max, Iэ=0 мA Uэб=-5B, Iк=0
Uкэ=-4B, Iэ=-5A В Iк=-5A, Iб=-20мA мкс Iк=-5А, Iб1=-20мА,
Iб2=-20мА, Uкэ=-16В
Min Max
-60 -80 -100
1000
-0,4 -5,0
-2,0 0,5 2,5 1,1
* Спpавочные паpаметpы
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ8158
Параметры
Напряжение коллектор-база КТ8159А КТ8159Б КТ8159В
Напpяжение коллектоp-эмиттеp: КТ...
Similar Datasheet