N-Channel MOSFET. EMB17A03V Datasheet

EMB17A03V MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent


Excelliance MOS EMB17A03V
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
17mΩ 
ID  10A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB17A03V
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
10 
7 
40 
Avalanche Current 
IAS  12 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
5 
2.5 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2.27 
0.9 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=7.5A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
355°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
7.5 
°C / W 
55 
2012/8/15 
p.1 


EMB17A03V Datasheet
Recommendation EMB17A03V Datasheet
Part EMB17A03V
Description Dual N-Channel MOSFET
Feature EMB17A03V;     Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  .
Manufacture Excelliance MOS
Datasheet
Download EMB17A03V Datasheet




Excelliance MOS EMB17A03V
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C, Unless Otherwise Noted) 
PARAMETER 
SYMBOL
TEST CONDITIONS 
EMB17A03V
LIMITS 
UNIT
MIN  TYP MAX
STATIC 
DrainSource Breakdown Voltage 
Gate Threshold Voltage 
GateBody Leakage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
OnState Drain Current1 
DrainSource OnState Resistance1 
Forward Transconductance1 
V(BR)DSS 
VGS(th) 
IGSS 
IDSS 
ID(ON) 
RDS(ON) 
gfs 
VGS = 0V, ID = 250A 
VDS = VGS, ID = 250A 
VDS = 0V, VGS = ±20V 
VDS = 24V, VGS = 0V 
VDS = 20V, VGS = 0V, TJ = 125 °C 
VDS = 10V, VGS = 10V 
VGS = 10V, ID = 10A 
VGS = 4.5V, ID = 6A 
VDS = 5V, ID = 10A 
DYNAMIC 
30   
1  1.5
  
  
  
10   
  14.5
  21
  18
 
3 
±100
1 
25 
 
17 
26 
 
V 
nA
A
A 
mΩ
S 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance   
Gate Resistance 
Total Gate Charge1,2 
GateSource Charge1,2 
GateDrain Charge1,2 
TurnOn Delay Time1,2 
Rise Time1,2 
TurnOff Delay Time1,2 
Fall Time1,2 
Ciss 
Coss 
Crss 
Rg 
Qg(VGS=10V)
Qg(VGS=4.5V)
Qgs 
Qgd 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
 
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz 
VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 
 
VDS = 15V, VGS = 10V, 
ID = 10A 
 
VDS = 15V,   
ID = 1A, VGS = 10V, RGS = 6Ω 
 
  597  
  111   pF
  96
 
  2.0   Ω 
  14
 
  7.8   nC
  1.8  
  4.7  
  10
 
  15
  35
  nS
 
  20
 
SOURCEDRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C) 
Continuous Current 
Pulsed Current3 
Forward Voltage1 
Reverse Recovery Time   
Peak Reverse Recovery Current 
Reverse Recovery Charge 
IS 
ISM 
VSD 
trr 
IRM(REC) 
Qrr 
 
 
IF = IS, VGS = 0V 
 
IF = IS, dlF/dt = 100A / S 
 
    2.3 
A 
    9.2 
    1.2  V 
  50
  nS
  30   A 
  2 
  nC
2012/8/15 
p.2 



Excelliance MOS EMB17A03V
 
1Pulse test : Pulse Width  300 sec, Duty Cycle  2. 
2Independent of operating temperature. 
3Pulse width limited by maximum junction temperature. 
Ordering & Marking Information: 
Device Name: EMB17A03V for EDFN 3 x 3 
 
  
BA1073 
B17A03: Device Name 
  ABCDEFG ABCDEFG: Date Code 
 
 
Outline Drawing 
0.10
 
 
 
 
 e
 D
D1
  D2 L1
 
 
 
 
 
c
A
EMB17A03V
Dimension in mm 
Dimension  A  A1  b 
c 
D  D1  D2 
E  E1  E2  E3 
e 
L  L1  Ѳ1   
Min. 
0.70  0  0.24 0.10  2.95  2.25
  3.15 2.95 1.65
 
  0.30  0  0   
Typ.  0.80    0.30 0.152  3.00  2.35 0.225 3.20 3.00 1.75 0.575 0.65  0.40    10 
Max. 
0.90  0.05  0.35 0.25  3.05  2.45
  3.25 3.05 1.85
 
  0.50  0.10  12
 
Recommended minimum pads
  2.35
1.05
 
 
 
  0.65
 
0.25
0.4
2012/8/15 
p.3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)