QH8M22

QH8M22 　　40V Nch+Pch Power MOSFET Symbol VDSS RDS(on)(Max.) ID PD Tr1:Nch Tr2:Pch 40V -40V 46.0mΩ 190mΩ ±4.5A ±2.0A 1.5W lFeatures 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (TSMT8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free lOutline TSMT8 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape lApplication Reel size (mm) 180 Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TCR Marking M22 lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Tr1:Nch Tr2:Pch Unit Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation total Junction temperature Operating junction and storage temperature range VDSS ID IDP*1 VGSS IAS*2 EAS*2 PD*3 PD*4 Tj Tstg 40 -40 ±4.5 ±2.0 ±18 ±8.0 ±20 ±20 4.5 -2.0 1.6 0.3 1.5 1.1 150 -55 to +150 V A A V A mJ W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/19 20180117 - Rev.004 　 　 QH8M22 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient total 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*3 RthJA*4 Values Unit Min. Typ. Max. - - 83.3 ℃/W - - 113 lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Type Conditions Values Unit Min....