RF4E100AJ

RF4E100AJ 　　Nch 30V 10A Middle Power MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 12.4mΩ ±10A 2.0W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) High power small mold package 　　(HUML2020L8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested. lOutline DFN2020-8S HUML2020L8 　 　　　　　　 lInner circuit lPackaging specifications Packing Reel size (mm) lApplication Switching Type Tape width (mm) Quantity (pcs) DC/DC converter Taping code Battery switch Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Symbol Value Drain - Source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range VDSS ID IDP*1 VGSS IAS*2 EAS*2 PD*3 Tj Tstg 30 ±10 ±36 ±12 2.7 6.7 2.0 150 -55 to +150 　 Embossed Tape 180 8 3000 TCR HV Unit V A A V A mJ W ℃ ℃ 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20190527 - Rev.002 　 　 RF4E100AJ 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 62.5 Unit ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Break...