RF6E065BN

RF6E065BN 　　Nch 30V 6.5A Middle Power MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 15.3mΩ ±6.5A 1W lFeatures 1) Low on - resistance. 2) Small surface mount package (TUMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. lOutline SOT-363T TUMT6 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Quantity (pcs) 8 3000 Taping code TCR Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) AA Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 30 V Continuous drain current ID ±6.5 A Pulsed drain current IDP*1 ±18 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD*2 1 W PD*3 0.91 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20190527 - Rev.001 　 　 RF6E065BN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 - - 137 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = 1mA 　　 ΔTj 　 　 reference...