EMZB21C03G

    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH  P‐CH  BVDSS  RDSON (MAX.)  30V  ‐30V  21mΩ  35mΩ  ID  7.5A  ‐6A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=7.5A, RG=25Ω(N) L = 0.1mH, ID=‐6A, RG=25Ω(P)  L = 0.05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  Junction‐to‐Case  Junction‐to‐Ambient3  2012/10/25  SYMBOL  ...