EMA04N03A

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  25V  D RDSON (MAX.)  4mΩ  ID  80A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMA04N03A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  ID  IDM  80  50  170  Avalanche Current  IAS  53  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω L = 0.05mH  EAS  EAR  140  40  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  96  38  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THE...