EMD05N50CS

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  500V  D RDSON (MAX.)  1.85Ω  ID  5A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=5A, RG=25Ω  L = 0.5mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMD05N50CS LIMITS  ±30  5  3  20  5  37.5  6.25  48  19  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pul...