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EMD06N10E

Excelliance MOS

MOSFET


Description
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  6.5mΩ  ID  135A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain C...



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