DatasheetsPDF.com

EMF30N02J

Excelliance MOS

MOSFET

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  20V  D RDSON (MAX.)  ...


Excelliance MOS

EMF30N02J

File Download Download EMF30N02J Datasheet


Description
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  20V  D RDSON (MAX.)  30mΩ  ID  5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  LIMITS  Gate‐Source Voltage  VGS  ±12  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  ID  IDM  5  3.6  20  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  1.25  0.8  ‐55 to 150        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  MAXIMUM  Junction‐to‐Ambient3  RJA    Junction‐to‐Lead4  RJL    1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  3100°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.  ...




Similar Datasheet




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site. (Privacy Policy & Contact)