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EMDE0N20G Dataheets PDF



Part Number EMDE0N20G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMDE0N20G DatasheetEMDE0N20G Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.)  0.5Ω  ID  1.6A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  .

  EMDE0N20G   EMDE0N20G


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  200V  D RDSON (MAX.)  0.5Ω  ID  1.6A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.                2012/2/2  EMDE0N20G LIMITS  ±30  1.6  .


EMBJ0N20G EMDE0N20G EMBA0N10G


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