DatasheetsPDF.com

EMB70N08G Dataheets PDF



Part Number EMB70N08G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB70N08G DatasheetEMB70N08G Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.)  65mΩ  ID    UIS, 100% Tested  6A  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=7A, RG=25Ω  L =.

  EMB70N08G   EMB70N08G


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  80V  D RDSON (MAX.)  65mΩ  ID    UIS, 100% Tested  6A  G S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=7A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  EMB70N08G LIMITS  ±20  6  4.5  24  7  2.45  1.23  2.5  1  ‐55 to 150  UNIT  V  A  mJ  W  °C  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambien.


EMB90N08G EMB70N08G EMB55N06G


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)