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EMBA0A10G

Excelliance MOS

MOSFET

Description
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  100V  RDSON (MAX.)  100mΩ  ID  3.5A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain C...


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EMBA0A10G

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