DatasheetsPDF.com

EMB45A06G Dataheets PDF



Part Number EMB45A06G
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB45A06G DatasheetEMB45A06G Datasheet (PDF)

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.)  45mΩ  ID  6A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB45A06G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  6  4.5  24  Avalanche Current  IAS  15  Avalan.

  EMB45A06G   EMB45A06G


Document
    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  RDSON (MAX.)  45mΩ  ID  6A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB45A06G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±20  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  6  4.5  24  Avalanche Current  IAS  15  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω  L = 0.05mH  EAS  EAR  7.2  3.6  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  2  0.8  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=10A, Rated VDS=60V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  TH.


EMB60A06G EMB45A06G EMB28A04G


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)