EMB22A04G

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    BVDSS  40V  RDSON (MAX.)  22mΩ  ID  8A      Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range      THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1％  362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.              2012/6/5  EMB22A04G LIMITS  ±20  8  7  32  2  1.3  ...