EMF20A02V

    Dual N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  20V  RDSON (MAX.)  20mΩ  ID  6A    UIS 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMF20A02V LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  Avalanche Current  IAS  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω  L = 0.05mH  EAS  EAR  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  100% UIS testing in condition of VD=10V, L=0.1mH, VG=4.5V, IL=6A, Rated VDS=20V N‐CH THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  TYPICAL  ±12  6  4  24  10  5  2.5...