EMB12P03G

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  D RDSON (MAX.)(VGS=‐10V)  10mΩ  ID  ‐13A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB12P03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  VGS  ±25  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  ID  IDM  ‐13  ‐10  ‐50  Avalanche Current  IAS  ‐15  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=‐15A, RG=25Ω L = 0.05mH  EAS  EAR  11.25  5.62  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  PD  Tj, Tstg  2.5  1  ‐55 to 150  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐10A, Rated VDS=...