EMZB08P03G

    P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  ‐30V  RDSON (MAX.)  8.5mΩ  ID  ‐15A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ESD Protection – up to 5KV HBM  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMZB08P03G LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  L = 0.1mH, ID=‐25A, RG=25Ω Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  PD  Tj, Tstg  ±20  ‐15  ‐11  ‐60  ‐25  31.25  2.5  1  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=‐15V, L=0.1mH, VG=‐10V, IL=‐15A, Rated VDS=‐30V P‐CH THERMAL...