EMF20C02G

    N & P‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:      N‐CH  P‐CH  BVDSS  20V  ‐20V  RDSON (MAX.)  20mΩ  40mΩ  ID  6A  ‐5A    UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free  ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  VGS  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=6A, RG=25Ω(N)  L = 0.1mH, ID=‐5A, RG=25Ω(P)  L = 0.05mH  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient3  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature....