EMB02Q03HP

  N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:    N‐CH‐Q1  N‐CH‐Q2  BVDSS  30V  30V  RDSON (MAX.)  5.0mΩ  2.0mΩ  ID  53A  95A  UIS, Rg 100% Tested  Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current3  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Continuous Drain Current3  Avalanche Current  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range            2016/4/28  VGS  ID  IDM  ID  IAS  EAS  EAR  PD  PD  Tj, Tstg  EMB02Q03HP LIMITS  Q1  Q2  ±20  ±20  53...