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EMD03N05HS Dataheets PDF



Part Number EMD03N05HS
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD03N05HS DatasheetEMD03N05HS Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  50V  D RDSON (MAX.)  3.5mΩ  ID  85A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD03N05HS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy.

  EMD03N05HS   EMD03N05HS



Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  50V  D RDSON (MAX.)  3.5mΩ  ID  85A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD03N05HS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=75A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  85  53  240  75  281  140  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=50V N-CH  THERMAL RESISTANCE RA.


EMB05N03HR EMD03N05HS EMB08N06H


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