DatasheetsPDF.com

EMD12N06H Dataheets PDF



Part Number EMD12N06H
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD12N06H DatasheetEMD12N06H Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  12mΩ  ID  48A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD12N06H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1,3  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy.

  EMD12N06H   EMD12N06H


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  12mΩ  ID  48A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD12N06H LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1,3  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=40A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  48  28  150  40  80  40  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=30A, Rated VDS=60V N-CH  THERMAL RESISTANCE RATI.


EMD03N06HS EMD12N06H EMB12N10H


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)