DatasheetsPDF.com

EMF30N02JS Dataheets PDF



Part Number EMF30N02JS
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMF30N02JS DatasheetEMF30N02JS Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  20V  D RDSON (MAX.)  30mΩ  ID  5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTAN.

  EMF30N02JS   EMF30N02JS


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  20V  D RDSON (MAX.)  30mΩ  ID  5A  G    S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Power Dissipation  TA = 25 °C  TA = 70 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range        THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Ambient3  RJA (T ≤ 10sec) RJA (Steady State) 1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%  3 The device mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper.            2015/9/22  EMF30N02JS LIMITS  ±12  5  3.6  20  1.04  0.66.


EMF11N02J EMF30N02JS EMF20N02JS


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)