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EMD03N06ES Dataheets PDF



Part Number EMD03N06ES
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD03N06ES DatasheetEMD03N06ES Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  4.0mΩ  ID  150A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD03N06ES LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Ene.

  EMD03N06ES   EMD03N06ES


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  4.0mΩ  ID  150A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD03N06ES LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=80A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  150  97  450  80  320  160  166  66  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=50A, Rated VDS=60V N-CH  THERMAL RESISTANC.


SUD80460E EMD03N06ES EMD06N06E


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