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EMB14N10CS Dataheets PDF



Part Number EMB14N10CS
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB14N10CS DatasheetEMB14N10CS Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  14.6mΩ  ID  62A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB14N10CS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Ener.

  EMB14N10CS   EMB14N10CS



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    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  100V  D RDSON (MAX.)  14.6mΩ  ID  62A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMB14N10CS LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=70A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  62  39  240  60  245  122  89  35  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=50V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=100V N-CH  THERMAL RESISTANCE.


EMB16N06CS EMB14N10CS EMD14N10CS


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