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EMB02N60AB Dataheets PDF



Part Number EMB02N60AB
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMB02N60AB DatasheetEMB02N60AB Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=2A, RG=25Ω  L =.

  EMB02N60AB   EMB02N60AB



Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  600V  D RDSON (MAX.)  4.0Ω  ID  2A  G   UIS, 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 3mH, ID=2A, RG=25Ω  L = 0.5mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range    THERMAL RESISTANCE RATINGS  THERMAL RESISTANCE  SYMBOL  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  TYPICAL  Junction‐to‐Case  RJC  Junction‐to‐Ambient  RJA  1Pulse width limited by maximum junction temperature.  2Duty cycle  1%    .


EMD04N60AB EMB02N60AB EMD02N60AK


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