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EMD10N06A Dataheets PDF



Part Number EMD10N06A
Manufacturers Excelliance MOS
Logo Excelliance MOS
Description MOSFET
Datasheet EMD10N06A DatasheetEMD10N06A Datasheet (PDF)

    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  10mΩ  ID  53A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD10N06A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1,3  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy.

  EMD10N06A   EMD10N06A


Document
    N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor  Product Summary:  BVDSS  60V  D RDSON (MAX.)  10mΩ  ID  53A  G   UIS, Rg 100% Tested  S Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)  PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMD10N06A LIMITS  UNIT  Gate‐Source Voltage  Continuous Drain Current  Pulsed Drain Current1,3  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Avalanche Current  Avalanche Energy  Repetitive Avalanche Energy2  L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω  L = 0.05mH  Power Dissipation  TC = 25 °C  TC = 100 °C  Operating Junction & Storage Temperature Range  VGS  ID  IDM  IAS  EAS  EAR  PD  Tj, Tstg  ±20  53  31  170  53  140  70  50  20  ‐55 to 150  V  A  mJ  W  °C  100% UIS testing in condition of VD=30V, L=0.1mH, VG=10V, IL=35A, Rated VDS=60V N-CH  THERMAL RESISTANCE RAT.


EMD98N10A EMD10N06A EMD08N06A


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