BP104FS

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 F BP 104 FS 0.6 0.4 1.2 0.7 0.8 0.6 Cathode marking 4.0 3.7 5.4 4.9 4.5 4.3 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 0.6 0.4 0.8 0.6 0.5 0.3 0.35 0.2 0.6 0.4 0 ... 5˚ 5.08 mm spacing Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06075 1.6 1.2 Approx. weight 0.1 g Chip position 1.1 0.9 1.2 1.1 0.3 0...0.1 6.7 6.2 4.5 4.3 0.9 0.7 4.0 3.7 1.7 1.5 1.6 1.2 0...5 ˚ 0.2 0.1 3.5 3.0 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm Cathode lead GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1997-11-19 feo06861 feo06075 BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm q kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte q BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten Anwendungen q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Features q Especially suitable for applications of 950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q DIL plastic package with high packing density q BP 104 FS: suitable for vapor-phase and IR-reflow soldering Applications q IR remote control of hi-fi and TV sets, Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment q Photointerrupters Typ (*vorher) Type (*formerly) ...