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BPX 38
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
BPX 38
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1) q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln”
Features q Especially suitable for applications from 450 nm to 1120 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection, suitable up to 125 °C1) q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits
Typ Type BPX 38 BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX
1) 1)
Bestellnummer Ordering Code Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 Q 62702-P15-S5
38-51)
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
217
10.95
fmo06018
BPX 38
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 125 260 Einheit Unit °C °C
Top; Tstg TS
TS
300
°C
VCE IC ICS VEB Ptot RthJA
50 50 200 7 220 450
V mA mA V mW K/W
Semiconductor Group
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BPX 38
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = .