DatasheetsPDF.com

BPX38 Dataheets PDF



Part Number BPX38
Manufacturers Siemens Semiconductor Group
Logo Siemens Semiconductor Group
Description NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor
Datasheet BPX38 DatasheetBPX38 Datasheet (PDF)

BPX 38 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1) q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Es.

  BPX38   BPX38



Document
BPX 38 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 38 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm q Hohe Linearität q Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit Basisanschluβ, geeignet bis 125 °C1) q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Features q Especially suitable for applications from 450 nm to 1120 nm q High linearity q Hermetically sealed metal package (TO-18) with base connection, suitable up to 125 °C1) q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits Typ Type BPX 38 BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 1) 1) Bestellnummer Ordering Code Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 Q 62702-P15-S5 38-51) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Semiconductor Group 217 10.95 fmo06018 BPX 38 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Symbol Symbol Wert Value – 55 ... + 125 260 Einheit Unit °C °C Top; Tstg TS TS 300 °C VCE IC ICS VEB Ptot RthJA 50 50 200 7 220 450 V mA mA V mW K/W Semiconductor Group 218 BPX 38 Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = .


BPW97 BPX38 BPX43


@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site.
(Privacy Policy & Contact)