BPX81

BPX 81 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm q Hohe Linearität q Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Computer-Blitzlichtgeräte q Miniaturlichtschranken für Gleich- und Features q Especially suitable for applications from 440 nm to 1070 nm q High linearity q One-digit array package of transparent epoxy q Available in groups Applications q q q q Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q “Messen/Steuern/Regeln” Computer-controlled flashes Miniature photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Typ Type BPX 81 BPX 81-2 BPX 81-3 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3 Semiconductor Group 234 10.95 feo06021 BPX 81 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector ...