rectifier diode. 2CZ30100BN Datasheet

2CZ30100BN diode. Datasheet pdf. Equivalent

Part 2CZ30100BN
Description Silicon Schottky rectifier diode
Feature 2CZ30100 BN , 。 、 、。 N 2CZ30100 BN ○R ●150℃ ● ● ● ● VRRM IF(AV) VF(MAX) 100 2×15 .
Manufacture Huajing Microelectronics
Datasheet
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2CZ30100 BN 、 、 N 2CZ30100 BN ○R ●150℃ ● ● ● ● 2CZ30100BN Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet 2CZ30100BN Datasheet




2CZ30100BN
产品概述
2CZ30100 BN 是共阴
极双肖特基二极管,具有
衡的正向压降特性和
电特性。典型应用为
开关电整流输出、续
二极管反向保护
N 型肖特基整流二极管
2CZ30100 BN
R
产品特点
150℃工作结温
●高开关速度
●低正向压降
●低功率损耗
●保护环结构
特征参数
符号
额定值 单 位
VRRM
IFAV
VFMAX
100
2×15
0.85
V
A
V
封装 TO-3P(N)
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1
相对湿度 <85
265
极限值Per Diode(除非另有规定,Ta= 25)
参数名称
最大可重复峰值反向电压
最大直流阻断电压
平均整流电流
不重复峰值浪涌电流(8.3mssinusoidal
可重复反向浪涌电流(2μs1kHz
最高工作结温
贮存温度
电压变化率
符号
VRRM
VR
IFAV
IFSM
IRRM
Tj
Tstg
dv/dt
内部结构图
额定值
100
100
15
200
0.5
150
-55150
10
单位
V
V
A
A
A
KV/μs
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
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2CZ30100BN
2CZ30100 BN
R
电特性Per Diode(除非另有规定,Ta= 25)
参数名称
符号
测试条件
击穿电压
VBR IR=1mA
IF=15A ,Tj=25
正向压降
IF=15A ,Tj=125
VF*
IF=30A ,Tj=25
IF=30A ,Tj=125
反向电流
IR* VR=100V, Tj=125
VR=100V, Tj=25
脉冲测试脉冲宽tp=300μs占空比 δ2%
典型
最大
100
0.85
0.75
0.95
0.85
15
0.05
单位
V
V
mA
有害物质说明
害物质或元素
邻苯
邻苯
件名称
多溴 多溴
邻苯
镉 六价铬
甲酸
甲酸
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
○○
○○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线
○○ ○ ○ ○ ○ ○
○○
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素的含量在 2011/65/EU 标准的量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 2011/65/EU 标准的量要求。
目前产品的料中含Pb成分但属于欧盟 RoHS 指令豁免
邻苯
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2017V01
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