bipolar transistor. 3DD4030A3 Datasheet

3DD4030A3 transistor. Datasheet pdf. Equivalent

Part 3DD4030A3
Description Silicon NPN bipolar transistor
Feature NPN 3DD4030 A3 ○R 3DD4030 A3 NPN , , , 、 。 ● ● ● ● ● ● ● ● -10℃~40℃ 1 265℃.
Manufacture Huajing Microelectronics
Datasheet
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NPN 3DD4030 A3 ○R 3DD4030 A3 NPN 、 ● ● ● ● 3DD4030A3 Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet 3DD4030A3 Datasheet




3DD4030A3
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD4030 A3
R
产品概述
3DD4030 A3 是硅 NPN
型功率开关晶体该产品
采用平面工艺压环终端
构和少子寿命控制技术
了产品的击穿电压
可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
反向击穿电压高
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
400
3
40
V
A
W
封装 TO-251
内部结构图
C
B
极限值 (除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
Ta=25
Tc=25
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
符号
RθJC
RθJA
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
800
400
9
3
6
1.5
3
1.5
40
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值
典型值
最大值
3.1
83.3
单位
/W
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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3DD4030A3
3DD4030 A3
R
电特性 (除非另有规定,Ta= 25
参数名称
符号
测试条件
集电极-基 极截止电流
ICBO VCB=800V, IE=0
集电极-发射极截止电流
ICEO VCE=400V, IB=0
发射极-基 极截止电流
IEBO VEB=9V, IC=0
集电极-基 极电压
VCBO IC=0.1mA
集电极-发射极电压
VCEO IC=1mA
发射极-基 极电压
VEBO IE=0.1mA
发射极向电流传输比静态hFE* VCE=5V, IC=1A
小电流hFE1 大电流hFE2
集电极-发射极饱和电压
hFE1/ hFE2
VCE
*
sat
hFE1:VCE=5V, IC=5mA
hFE2:VCE=5V, IC=1A
IC=1A, IB=0.2A
基 极-发射极饱和电压
VBE
*
sat
IC=1A, IB=0.2A
贮存时间
ts
上升时间
tr UI9600IC=0.5A
下降时间
tf
征频
fT
VCE=10V, IC=0.1A
f=1MHz
脉冲测试,脉冲tp300μs占空比 δ2%
hFE 分档 15~20~25~30~35
有害物质说明
最小 典型 最大
0.1
0.1
0.1
800
400
9
15 35
单位
mA
mA
mA
V
V
V
0.6 0.75
0.3 0.6 V
1 1.5 V
2 5 μs
1 μs
1 μs
5 MHz
害物质或元素
邻苯二
邻苯二
件名称
多溴 多溴二
邻苯二
镉 六价铬
甲酸二
甲酸二
联苯 苯醚
甲酸酯
含量要求Pb Hg Cd Cr(VI)
异丁酯
丁酯
PBB PBDE
DEHP
DIBP DBP
引线框
0.1%
0.1%
0.01%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
0.1%
塑封树脂
管芯
○○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
×○ ○○ ○ ○ ○ ○ ○
说明
:表示该元素含量SJ/T11363-2006 标准的限量要求下。
×:表示该元素含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊Pb但属于欧盟 RoHS 指令豁免
邻苯二
甲酸丁
苄酯
BBP
0.1%
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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