Purpose Transistor. 2N2222AUB Datasheet

2N2222AUB Transistor. Datasheet pdf. Equivalent


TT 2N2222AUB
 
Surface Mount NPN General
Purpose Transistor
2N2222AUB (TX, TXV)
Features:
 Ceramic 3 pin surface mount package (UBN)
 Miniature package to minimize circuit board area
 Hermetically sealed
 Processed per MIL-PRF-19500/255
 Same footprint and pin-out as many SOT-23 package
transistors
Description:
The 2N2222AUB (TX, TXV) is a miniature herme cally sealed ceramic surface mount general purpose switching transistor. 
The miniature three pin ceramic package is ideal for upgrading commercial grade circuits to military reliability levels where 
plas c SOT23 devices have been used. The “UB” sux denotes the 3 terminal chip carrier package. 
 
Typical screening per MILPRF19500/255. The burnin condi on is VCB = 30 V. PD = 200 mW, TA = 25°C, t = 80 hrs. Refer to 
MILPRF19500/255 for complete requirements. In addi on, the TX and TXV versions receive 100% thermal response 
tes ng. 
 
When ordering parts without processing, do not use the TX or TXV sux. 
 
Applications:
 General switching
 Amplification
 Signal processing
 Radio transmission
 Logic gates
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
 
Pin  Func on 
1  Base 
2  Emi er 
3  Collector 
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue B 08/2016 Page 1


2N2222AUB Datasheet
Recommendation 2N2222AUB Datasheet
Part 2N2222AUB
Description Surface Mount NPN General Purpose Transistor
Feature 2N2222AUB;   Surface Mount NPN General Purpose Transistor 2N2222AUB (TX, TXV) Features:  Ceramic 3 pin surfac.
Manufacture TT
Datasheet
Download 2N2222AUB Datasheet




TT 2N2222AUB
Surface Mount NPN General
Purpose Transistor
2N2222AUB (TX, TXV)
Electrical Specifications
Absolute Maximum Ratings (TA = 25° C unless otherwise noted)
CollectorBase  Voltage  
CollectorEmi er Voltage 
Emi erBase Voltage 
Collector CurrentCon nuous 
Opera ng Junc on Temperature (TJ) 
Storage Junc on Temperature (Tstg) 
Power Dissipa on @ TA = 25°C 
Power Dissipa on @ Tc = 25° C 
Soldering Temperature (vapor phase reow for 30 seconds) 
Soldering Temperature (heated collet for 5 seconds) 
75V 
50V 
6.0V 
800mA 
65° C to +200 °C 
65° C to +200° C 
0.3 W 
1.00 W(1) 
215° C 
260° C 
Electrical Characteristics (TA = 25° C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN MAX
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  CollectorBase Breakdown Voltage 
75   
V(BR)CEO  CollectorEmi er Breakdown Voltage 
50   
V(BR)EBO  Emi erBase Breakdown Voltage 
ICBO   CollectorBase Cutoff Current  
6.0   
  10 
  10 
IEBO  Emi erBase Cutoff Current 
  10 
ICES  Collector Emi er Cutoff Current 
  50 
ON CHARACTERISTICS  
50   
75  325 
hFE   ForwardCurrent Transfer Ra o 
100   
100  300 
30   
35   
Note: 
1. Derate linearly 6.6 mW/°C above 25° C   
2. Pulse Width ≤300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0% 
UNITS
TEST CONDITIONS
V  IC = 10 µA, IE = 0 
V  IC = 10 mA, IB = 0 
V  IE = 10 µA, IC = 0 
nA  VCB = 60 V, IE = 0 
µA  VCB = 60 V, IE = 0, TA = 150° C 
nA  VEB = 4 V, IC = 0 
nA  VCE = 50 V 
‐  VCE = 10 V, IC = 0.1 mA 
‐  VCE = 10 V, IC = 1.0 mA 
‐  VCE = 10 V, IC = 10 mA 
‐  VCE = 10 V, IC = 150 mA(2) 
‐  VCE = 10 V, IC = 500 mA(2) 
‐  VCE = 10 V, IC = 10 mA, TA = ‐55°C 
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue B 08/2016 Page 2



TT 2N2222AUB
Surface Mount NPN General
Purpose Transistor
2N2222AUB (TX, TXV)
Electrical Characteristics (TA = 25° C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN MAX
ON CHARACTERISTICS  
VCE (SAT)   CollectorEmi er Satura on Voltage  
  0.3 
  1.0 
VBE(SAT)   BaseEmi er Satura on Voltage  
0.6  1.2 
  2.0 
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS 
hfe 
Small Signal Forward Current Transfer 
Ra o 
50   
Ihfe 
Small Signal Forward Current Transfer 
Ra o 
2.5   
Cobo  Open Circuit Output Capacitance 
Cibo  Input Capacitance (Output Open) 
SWITCHING CHARACTERISTICS 
  8.0 
  25 
ton  TurnOn Time 
to  TurnOff Time 
  35 
  300 
UNITS
TEST CONDITIONS
V  IC = 150 mA, IB= 15 mA(2) 
V  IC = 500 mA, IB= 50 mA(2) 
V  IC = 150 mA, IB= 15 mA(2) 
V  IC = 500 mA, IB= 50 mA(2) 
‐  VCE = 10 V, IC = 1.0 mA, f = 1.0 kHz 
‐  VCE = 20 V, IC = 20 mA, f = 100 MHz 
pF  VCB = 10 V, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHZ 
pF  VEB = 0.5 V, 100 kHz ≤ f ≤ 1.0 MHZ 
ns  VCC =  30 V, IC = 150 mA, IB1 = 15 mA 
ns  VCC = 30 V, IC = 150 mA, IB1 = IB2 = 15 mA  
General Note
TT Electronics reserves the right to make changes in product specification without
notice or liability. All information is subject to TT Electronics’ own data and is
considered accurate at time of going to print.
© TT electronics plc
OPTEK Technology, Inc.
1645 Wallace Drive, Carrollton, TX 75006|Ph: +1 972 323 2200
www.optekinc.com | www.ttelectronics.com
Issue B 08/2016 Page 3







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)