BF599

BF 599 NPN High Frequency Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert NPN 250 mW SOT-23 (TO-236) 0.01 g Dimensions / Maße in mm 1=B 2=E 3=C Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25/C) Collector-Emitter-voltage Collector-Base-voltage Emitter-Base-voltage Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Base current – Basisstrom (dc) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur B open E open C open VCE0 VCB0 VEB0 Ptot IC ICM Tj TS Grenzwerte (TA = 25/C) BF 599 25 V 40 V 4V 250 mW 1) 25 mA 5 mA 150/C - 65…+ 150/C Characteristics (Tj = 25/C) Min. Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom IE = 0, VCB = 20 V IE = 0, VCB = 20 V, Tj = 100/C IC = 10 mA, IB = 1 mA VCE = 10 V, IC = 1 mA ICB0 ICB0 VCEsat hFE – – – 38 Kennwerte (Tj = 25/C) Typ. – – 150 mV 70 Max. 100 nA 10 :A – – Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. 2) DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 3) 1 ) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 2 ) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impuls...