TDM3207

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3207  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in  PWM  applications.  GENERAL FEATURES   ‐20V/‐100A    RDS(ON) <3.6mΩ @ VGS=‐2.5V  RDS(ON) <2.5mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) <2.0mΩ @ VGS=‐10V   ESD Protection   Surface Mount Package   Lead Free and Green Devices available(RoHS Compliant)  Application   Load switch   Portable Equipment applications   For E‐cigarette battery protection application  DATASHEET TDM3207     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous (Note 4)  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation    Drain Current @ ...