Mode MOSFET. TDM3415 Datasheet

TDM3415 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3415 Datasheet
Recommendation TDM3415 Datasheet
Part TDM3415
Description P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3415; T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3415  uses  advanced.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3415 Datasheet




Techcode TDM3415
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3415  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in  PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
30V/17.6A 
RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=4.5V 
RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=10V 
Reliable and Rugged 
HBM ESD capability level of 8KV typical 
Lead free product is available 
DFN5X6 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
DATASHEET
TDM3415
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current(VGS=10V) (note1) 
300μs Pulsed Drain Current Tested (note1) 
Diode Continuous Forward Current (note2) 
Maximum Power Dissipation (note1) 
Maximum Junction Temperature 
Storage Temperature Range 
Thermal ResistanceJunction to Ambient (note1) 
Thermal ResistanceJunction to Lead 
 
Symbol 
VDS 
VGS 
ID (TA=25) 
ID (TA=70) 
IDP(TA=25) 
IS 
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
TJ 
TSTG 
RθJA(t10s) 
RθJA(Steady State) 
RθJL(Steady State) 
 
Top View of Sop8 
Rating 
30 
+25 
17.6 
14   
70 
4 
4.2 
2.7 
150 
55 to 150 
30 
75 
24 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
 
 
/W 
/W 
/W 
July  19,  2016                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3415
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3415
Parameter 
Symbol  Test Conditions 
Min  Typ  Max  Unit 
STATIC CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V, ID=250μA 
VDS=24, VGS=0V 
VGS=±20V, VDS=0V 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
1.3  ‐1.8  ‐2.3  V 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=4.5V,IDS=10A 
VGS=10V, IDS=17.6A 
‐  11  15  mΩ 
‐  7  9 
mΩ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Gate Resistance 
Input Capacitance 
Rg 
Ciss 
VGS=0V, VDS=0V,F=1MHz 
VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐  8  ‐ 
‐  2110  ‐ 
Ω 
PF 
Output Capacitance 
Coss 
‐  425  ‐ 
PF 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐  330  ‐ 
PF 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
GateSource Charge 
GateDrain Charge 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Qg 
Qgs 
Qgd 
VDD=15V, RL=15Ω, VGEN=10V, 
RG=6Ω IDS=1A 
VDS=15V,IDS=17.6A,VGS=10V 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
12 
14 
98 
60 
45 
5 
12.7 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=17.6A, dI/dt=100A/μs 
‐  24  ‐ 
nS 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐  16  ‐ 
nC 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 3) 
VSD  VGS=0V,ISD=1A 
‐  ‐0.7  ‐1  V 
NOTES: 
1. Surface Mounted on 1in2 pad area, t≤ 10sec. RθJA steady state t = 999s.   
2. The power dissipation PD is based on TJ(MAX) = 150oC, and it is useful for reducing junctiontocase thermal resistance (RθJC) 
when additional heat sink is used. 
3    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
4    Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
 
July  19,  2016                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3415
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics   
DATASHEET
TDM3415
 
 
July  19,  2016                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)