Mode MOSFET. TDM3478 Datasheet

TDM3478 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3478 Datasheet
Recommendation TDM3478 Datasheet
Part TDM3478
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3478; .
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3478 Datasheet




Techcode TDM3478
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3478  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 9.7mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
ESD Protection 
Surface Mount Package 
Lead Free and Green Devices available(RoHS Compliant) 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
Powered Systems 
DATASHEET
TDM3478
 
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Drain Current @ Continuous 
IDTc=25℃) 
IDTc=100℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
IDPTC=25℃) 
Maximum Power Dissipation 
PD (TC=25) 
PD (TC=100) 
Drain Current @ Continuous 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
Maximum Power Dissipation   
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 2) 
RθJA(t10s) 
RθJA(Steady State) 
Thermal Resistance,JunctiontoCase 
RθJC(Steady State) 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
TSTG 
Limit 
30 
+20 
54 
34 
100 
26.6 
10.6 
15.2 
12.1 
2.08 
1.3 
40 
60 
4.7 
150 
55 To 150 
Unit 
V 
V 
 
A 
 
W 
A 
W 
/W 
/W 
 
 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3478
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3478
Parameter 
Symbol  Condition 
Min  Typ 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
30  ‐ 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
‐  ‐ 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
‐  ‐ 
ON CHARACTERISTICS   
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
1.4  1.7 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=4.5V, ID=9A 
‐  7.5 
VGS=10V, ID=12A 
 
‐ 
TJ=125  ‐ 
5 
7.6 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
RG  VGS=0V,VDS=0V,F=1MHz 
‐  1.8 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐  750 
Output Capacitance 
Coss 
‐  530 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐  37 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=15V,  RL=15Ω,  VGEN=10V,RG=1Ω  ‐ 
7.8 
Turnon Rise Time 
tr  ID=1A 
‐  8.4 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
‐  18 
TurnOff Fall Time 
tf 
‐  17 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=12A,VGS=4.5V 
‐  5.5 
GateSource Charge 
Qgs 
‐  1.9 
GateDrain Charge 
Qgd 
‐  2.2 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=5A, dI/dt=100A/μs 
‐  11 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐  13 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=10A 
‐  0.8 
NOTES: 
1. Pulse width limited by max. junction temperature. 
2. RθJA steady state=999s. RθJA is measured with the device mounted on 1in2, Fr4 board with 2oz.Copper 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
Max 
‐ 
1 
±10 
2.5 
9.7 
6 
‐ 
3 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
1.1 
Unit 
V 
μA 
μA 
V 
mΩ 
Ω 
PF 
PF 
PF 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
V 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3478
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics   
DATASHEET
TDM3478
 
 
July  15,  2015                                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)