TDM3518

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3518  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in  PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 3.1mΩ @ VGS=4.5V    RDS(ON) < 1.8mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Surface Mount Package   Lead Free and Green Devices available(RoHS Compliant)  Application   PWM applications   Load switch   Power management   Powered Systems    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Drain Current @ Continuous  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation  Drain Current @ Continuous  Maximum Power Dissipation    The...